介绍

V-A特性曲线

齐纳击穿： 是可逆的，即当外加电压撤除后，器件的特性可以恢复。稳压二极管。
雪崩击穿： 击穿的外加电压值，称为击穿电压。

关注点

封装 正向电压（导通压降 快恢复（反向恢复时间 极间电容

参数

应用选平均反向电压、正向电流 应用时打八折、参考温度 电流一定，随温度升高，正向电压下降 电压一定，随温度升高，正向电流增加 温度越高，漏电流越大 浪涌电流 随电压增大，反向电容减小 正向电流越大，恢复时间越大

注意测试曲线仅供参考，实际测试不一样

分类

(根据应用，利用不同特性)

稳压二极管、齐纳

Zenar diode 利用：电压不变，电流变化可以很大

反向击穿曲线

击穿前Z很大，后Z很小 最后会击穿，超过额定电流（一般几十m

应用

稳压：产生的参考电压作为基准，不能直接作为负载使用 精准稳定可以用LDO，三端集成稳压器 串并联？ 并联无意义，很少 正向串可以，稳定电流取决于较小的一个 过流保护 热插拔 稳压输出

参数

稳定电压、电流  VZ（ Nominal Zener Voltage） 标称稳定电压： 是稳压二极管最重要参数。没有之一。。
 IZT 稳定电流 稳压管产生稳定电压时通过该管 的电流值。 低于此值时， 稳压管虽并非不能稳 压， 但稳压效果会变差;高于此值时， 只要不超 过额定功率损耗， 也是允许的， 而且稳压性能 会好一些， 但要多消耗电能。  Zzt 表示在标称稳压值和标称稳压电流值下的 稳压二极管阻抗  Izk 表示 稳压二极管反向击穿拐点处的电流。
 Zzk 表示 稳压二极管反向击穿拐点处的阻抗。
 V R 表示稳压二极管的反向电压
 I R 表示稳压二极管在反向电压下的漏电流

肖特基二极管

SBD Schottky 不是PN结，==金半结== 金属+n半导体（一般 金属接+，n接-

特性

 比一般的PN结二极管具有更低的正向电压。 电流低0.1电流大点 0.2 0.3V
 是具有极低的结电容和更快的开关速度（10ns）
 反向电流比一般的PN结二极管大：漏电流偏大; 温度敏感;反向电压做不大 (不足)部分克服

应用

双电源切换 逻辑与 逻辑或 续流